Дослідження залежності опору фоторезистора від освітленості

джерело струму

лампа розжарювання

фоторезистор

Мультиметри(2 шт.)

● ліхтарик

● фоторезистор — фотоелектричний напівпровідниковий приймач світлового випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом.

1. Дослід варто проводити у кімнаті з невисоким рівнем освітлення. Беремо необхідне для проведення досліду обладнання.2. Приєднаємо фоторезистор до мультиметра у режимі омметра. Блок живлення з’єднаємо із лампою розжарювання. Цю лампу будемо використовувати у якості джерела світла для фоторезистора. До другого мультиметра приєднаємо сенсор світла.3. Увімкнемо мультиметри. Один мультиметр, що приєднаний до сенсора, натисканням на кнопку налаштування переведемо у режим вимірювання освітленості, зафіксуємо значення освітленості приміщення. Другий мультиметр покаже опір фоторезистора за цього рівня освітлення.4. Долонею накриємо фоторезистор та сенсор, щоб зафіксувати опір фоторезистора за мінімальних значень освітлення. Звертаємо увагу на покази мультиметрів.5. Вмикаємо блок живлення. Встановлюємо на ньому постійний струм з вихідною напругою 2,5 В. Звертаємо увагу, що лампа розжарювання світиться з низькою інтенсивністю.6. Розташуємо максимально близько до лампи фоторезистор та сенсор освітлення. Тепер фіксуємо рівень освітлення фоторезистора та його опір. Звертаємо увагу, що за цих умов опір фоторезистора є нижчим ніж лише за кімнатного рівня освітлення. 7. Поступово збільшуємо вихідну напругу на джерелі живлення до 5 В. Разом з цим фіксуємо збільшення рівня освітлення лампою розжарювання фоторезистора за допомогою сенсора, а також зменшення його опору.8. Для суттєвого збільшення рівня освітлення фоторезистора засвітимо на нього потужним ліхтариком. Звернемо увагу, що за такого високого рівня освітлення (визначеного сенсором) опір фоторезистора є суттєво нижчим.9. На основі отриманих даних будуємо графік залежності опору фоторезистора від рівня його освітлення:

Під час проведення досліду ми вивчили залежність опору фоторезистора від рівня його освітлення та побудували графік цієї залежності. Ця залежність має виражений нелінійний вигляд.